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第一章 芯片技術相關概述
1.1 芯片技術概念闡釋
1.1.1 芯片技術概述
1.1.2 芯片架構概述
1.2 芯片技術相關介紹
1.2.1 芯片技術特性
1.2.2 芯片技術壟斷
第二章 2022-2024年國內外芯片技術發展綜況
2.1 全球芯片技術發展綜述
2.1.1 全球芯片技術前沿
2.1.2 全球技術創新趨勢
2.1.3 全球下一代芯片技術
2.2 中國芯片技術發展現狀
2.2.1 芯片技術設備封鎖
2.2.2 芯片技術突破創新
2.2.3 芯片技術發展制約
2.3 芯片技術專利申請狀況
2.3.1 2023年芯片行業專利申請概況
2.3.2 2023年芯片行業專利技術構成
2.3.3 2023年芯片行業專利申請人分析
2.3.4 2023年芯片行業技術創新熱點
第三章 2022-2024年芯片設計領域技術發展狀況分析
3.1 中國芯片設計領域技術發展分析
3.1.1 技術基本流程
3.1.2 技術發展階段
3.1.3 技術發展意義
3.1.4 技術參與主體
3.1.5 技術壟斷優勢
3.1.6 技術發展效益
3.2 芯片架構設計技術發展分析
3.2.1 技術設計原則
3.2.2 技術應用分類
3.2.3 技術支持工具
3.2.4 技術發展階段
3.2.5 技術發展進程
3.2.6 技術發展意義
3.3 芯片EDA技術發展分析
3.3.1 技術發展歷程
3.3.2 技術應用領域
3.3.3 技術發展意義
3.3.4 技術發展特點
3.3.5 技術發展進程
3.3.6 技術發展效益
第四章 2022-2024年芯片制造領域技術發展狀況分析
4.1 中國芯片制造領域技術發展分析
4.1.1 技術發展歷程
4.1.2 技術發展規律
4.1.3 技術發展邏輯
4.1.4 技術發展綜況
4.1.5 技術發展進程
4.1.6 技術發展阻礙
4.2 晶圓制備技術發展分析
4.2.1 技術發展歷程
4.2.2 技術發展階段
4.2.3 技術發展意義
4.2.4 技術發展綜況
4.2.5 技術發展進程
4.2.6 技術發展效益
4.3 氧化技術發展分析
4.3.1 技術的發展分類
4.3.2 技術發展意義
4.3.3 技術發展綜況
4.3.4 技術應用發展
4.4 光刻技術發展分析
4.4.1 技術發展歷程
4.4.2 技術發展階段
4.4.3 技術發展意義
4.4.4 技術發展綜況
4.4.5 技術發展進程
4.4.6 技術發展效益
第五章 2022-2024年芯片封裝領域技術發展狀況分析
5.1 中國芯片封裝領域技術發展分析
5.1.1 技術發展歷程
5.1.2 技術發展意義
5.1.3 技術發展綜況
5.1.4 技術等級劃分
5.1.5 技術功能作用
5.1.6 技術發展效益
5.2 先進封裝技術發展分析
5.2.1 技術發展歷程
5.2.2 技術發展重點
5.2.3 技術發展類型
5.2.4 技術發展進程
5.2.5 技術發展前沿
5.2.6 技術發展問題
5.2.7 技術發展方向
5.3 傳統封裝技術發展分析
5.3.1 技術發展歷程
5.3.2 技術發展階段
5.3.3 技術發展比較
5.3.4 技術發展綜況
5.3.5 技術應用方向
5.3.6 技術發展效益
第六章 2022-2024年芯片測試領域技術發展狀況分析
6.1 中國芯片測試領域技術發展分析
6.1.1 技術發展綜況
6.1.2 技術階段分類
6.1.3 技術發展意義
6.1.4 技術發展進程
6.1.5 技術發展阻礙
6.1.6 技術發展效益
6.2 測試機技術發展分析
6.2.1 技術發展歷程
6.2.2 技術發展階段
6.2.3 技術發展意義
6.2.4 技術發展綜況
6.2.5 技術發展進程
6.2.6 技術發展效益
6.3 探針卡技術發展分析
6.3.1 技術發展綜況
6.3.2 技術發展階段
6.3.3 技術發展對比
6.3.4 技術發展進程
6.3.5 技術發展意義
6.3.6 技術發展效益
第七章 我國重點企業芯片技術戰略部署
7.1 紫光國芯微電子股份有限公司
7.1.1 企業發展概況分析
7.1.2 紫光國微技術發展歷程
7.1.3 紫光國微技術發展現狀
7.1.4 紫光國微技術核心競爭力
7.1.5 紫光國微技術研發進程
7.1.6 紫光國微技術發展建議
7.1.7 紫光國微技術發展前景
7.2 中芯國際集成電路制造有限公司
7.2.1 企業發展概況分析
7.2.2 中芯國際技術發展歷程
7.2.3 中芯國際技術發展現狀
7.2.4 中芯國際技術核心競爭力
7.2.5 中芯國際技術研發進程
7.2.6 中芯國際技術發展建議
7.2.7 中芯國際技術發展前景
7.3 華虹半導體有限公司
7.3.1 企業發展概況分析
7.3.2 華虹半導體技術發展歷程
7.3.3 華虹半導體技術發展現狀
7.3.4 華虹半導體技術核心競爭力
7.3.5 華虹半導體技術研發進程
7.3.6 華虹半導體技術發展建議
7.3.7 華虹半導體技術發展前景
7.4 江蘇長電科技股份有限公司
7.4.1 企業發展概況分析
7.4.2 長電科技技術發展歷程
7.4.3 長電科技技術發展現狀
7.4.4 長電科技技術核心競爭力
7.4.5 長電科技技術研發進程
7.4.6 長電科技技術發展建議
7.4.7 長電科技技術發展前景
第八章 芯片技術發展前景趨勢預測
8.1 芯片分類別技術趨勢
8.1.1 芯片技術發展趨勢
8.1.2 邏輯技術發展趨勢
8.1.3 存儲技術發展趨勢
8.1.4 集成技術發展趨勢
8.2 芯片分步驟技術趨勢
8.2.1 芯片設計技術發展趨勢
8.2.2 芯片制造技術發展趨勢
8.2.3 芯片封裝技術發展趨勢
8.2.4 芯片測試技術發展趨勢
圖表 2014-2023年芯片行業專利申請量、授權量及對應授權率數據表
圖表 2014-2023年芯片行業專利申請量、授權量及對應授權率走勢圖
圖表 2014-2023年芯片行業專利類型占比
圖表 截至2023年芯片行業專利審查時長
圖表 截至2023年芯片行業有效專利總量
圖表 截至2023年芯片行業審中專利總量
圖表 截至2023年芯片行業失效專利總量
圖表 截至2023年芯片行業領域的專利在不同法律事件上的分布
圖表 芯片行業生命周期
圖表 2014-2023年芯片行業專利申請量與專利申請人數量
圖表 截至2023年芯片行業專利申請中國省市分布
圖表 截至2023年芯片行業專利申請在中國各省市申請量
圖表 截至2023年芯片行業主要技術分支的專利分布
圖表 2014-2023年芯片行業領域在主要技術分支的專利申請變化情況
圖表 2014-2023年芯片行業領域各技術分支內領先申請人的分布情況
圖表 截至2023年芯片行業功效矩陣
圖表 截至2023年芯片行業領域申請人的專利量排名情況
圖表 芯片行業專利集中度
圖表 芯片行業領域在主要技術方向上的新入局者
圖表 截至2023年芯片行業領域合作申請分析
圖表 截至2023年芯片行業領域主要申請人技術分析
圖表 2014-2023年芯片行業領域主要申請人逐年專利申請量
圖表 截至2023年芯片行業創新熱點
圖表 截至2023年芯片行業領域熱門技術專利量
圖表 芯片設計流程
圖表 現階段市場芯片架構對比
圖表 芯片EDA技術發展歷程
圖表 EDA對集成電路設計和制造環節形成支撐
圖表 2000-2028年EDA技術可降低設計成本趨勢
圖表 全球主要晶圓廠制程節點技術路線
圖表 8英寸和12英寸硅片發展歷史
圖表 襯底晶圓材料對應尺寸
圖表 外延生長對應wafer尺寸
圖表 不同晶圓尺寸發展歷程
圖表 襯底制備的基本步驟
圖表 外延晶圓片結構示意圖
圖表 MBE與MOCVD技術對比
圖表 不同晶圓制造工藝示意圖
圖表 FinFET工藝七大玩家進展
圖表 氧化的種類
圖表 自由基氧化的特點
圖表 密勒指數(Miller indices)描述的硅原子排列
圖表 氧化物在晶圓表面的保護作用
圖表 干法氧化和濕法氧化
圖表 晶圓表面圖示
圖表 擴散遮蔽層
圖表 離子注入屏蔽氧化層
圖表 STI工藝中的襯墊氧化層和阻擋氧化層
圖表 光刻機技術發展進程
圖表 光刻機參數對比
圖表 光刻機工作原理
圖表 光刻步驟圖示
圖表 光刻的主要流程
圖表 封裝外型圖示
圖表 封裝方式發展歷程圖
圖表 封裝形式發展階段細分
圖表 BGA(ball grid array)封裝技術
圖表 COB(chip on board)封裝技術
圖表 DIP(dual in-line package)封裝技術
圖表 SDIP(shrink dual in-line package)封裝技術
圖表 flip-chip封裝技術
圖表 MCM(multi-chip module)封裝技術
圖表 QFP(quad flat package)封裝技術
圖表 BQFP(quad flat package with bumper)封裝技術
圖表 QFH(quad flat high package)封裝技術
圖表 CQFP(quad fiat package with guard ring)封裝技術
圖表 MQUAD(metal quad)封裝技術
圖表 Cerquad封裝技術
圖表 QFG(quad flat J-leaded package)封裝技術
圖表 QFN(quad flat non-leaded package)封裝技術
圖表 TCP(Tape Carrier Package)封裝技術
圖表 Tape Automated Bonding(TAB)封裝技術
圖表 PGA(pin grid array)封裝技術
圖表 LGA(land grid array)封裝技術
圖表 QUIP(quad in-line package)封裝技術
圖表 MFP(mini flat package)封裝技術
圖表 SIMM(single in-line memory module)封裝技術
圖表 DIMM(Dual Inline Memory Module)封裝技術
圖表 SIP(single in-line package)封裝技術
圖表 SMD(surface mount devices)封裝技術
圖表 SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)封裝技術
圖表 TO packageTO封裝技術
圖表 半導體芯片的封裝等級
圖表 半導體芯片封裝示例
圖表 半導體封裝的作用
圖表 先進封裝技術的發展趨勢圖
圖表 Bumping工藝示意圖
圖表 重布線層技術示意圖
圖表 硅中介層技術示意圖
圖表 硅通孔技術示意圖
圖表 傳統封裝與晶圓級別封裝對比
圖表 3DIC與2.5D封裝對比
圖表 系統級封裝示意圖
圖表 Chiplet封裝示意圖
圖表 長電科技封裝項目
圖表 華天科技封裝技術項目
圖表 富通微電封裝技術項目
圖表 Amkor封裝解決方案
圖表 芯片良率與芯片面積的關系
圖表 芯片成本隨工藝節點微縮遞增
圖表 典型芯粒產品
圖表 TSV基本結構示意圖
圖表 臺積電CoWoS封裝技術路線
圖表 賽靈思FPGA CoWoS封裝
圖表 CEA-Leti96核處理器集成技術
圖表 英特爾Foveros技術
圖表 片外存儲從并排布局轉為三維堆疊
圖表 HBM架構和封裝集成示意圖
圖表 臺積電InFO SoW技術
圖表 英偉達A100芯片與特斯拉Dojo訓練Tile主要性能指標對比
圖表 英特爾EMIB互連技術
圖表 鍵合技術的演進
圖表 AMD3D芯粒技術
圖表 臺積電SoIC-WoW混合鍵合技術
圖表 先進封裝技術兩個發展方向
圖表 傳統封裝技術演變
圖表 傳統封裝技術簡介
圖表 先進封裝與傳統封裝簡單對比
圖表 引線框架封裝和基板封裝的組裝步驟
圖表 晶圓背面研磨工藝的四個步驟
圖表 通過刀片切割工藝將晶圓切割成芯片
圖表 芯片貼裝工藝
圖表 芯片互連步驟示意圖
圖表 回流焊工藝的溫度曲線
圖表 封裝技術的在不同硬件設備的應用方向
圖表 IC測試基本原理模型
圖表 CP測試系統示意圖
圖表 測試機發展歷程
圖表 CP測試系統示意圖
圖表 測試機分類及介紹
圖表 光學檢測技術、電子束檢測技術和X光量測技術對比
圖表 三種檢測技術在檢測環節的具體應用情況
圖表 四類量測環節在產業鏈中的應
圖表 探針卡分類狀況
圖表 細分類型探針卡交貨期對比
圖表 圖探針卡結構示意圖
圖表 基于LTCC的MEMS探針卡的制作過程
圖表 通過Au/Sn共晶鍵合轉移到LTCC基板上的探針結構
圖表 探針用陶瓷基板
圖表 圖晶圓測試示意圖
圖表 半導體晶圓測試的探針卡
圖表 紫光國微發展歷程
圖表 紫光國微產品矩陣
圖表 紫光國微技術發展歷程
圖表 紫光國微智能安全芯片主要產品
圖表 紫光國微特種集成電路產品系列
圖表 紫光國微FPGA產品系列
圖表 中芯國際業務圖
圖表 中芯國際發展歷程
圖表 全球主要晶圓廠制程節點技術路線圖
圖表 中芯國際工藝平臺及下游應用
圖表 中芯國際邏輯工藝技術平臺(成熟制程)
圖表 中芯國際特色工藝技術平臺
圖表 制程升級伴隨MOS結構的升級
圖表 華虹半導體歷史沿革
圖表 華虹半導體工藝平臺
圖表 華虹半導體主要產品及服務變化情況
圖表 華虹半導體主要工藝平臺及具體情況
圖表 華虹半導體主要核心技術平臺情況
圖表 華虹半導體主要在研項目具體情況
圖表 長電科技主要業務情況
圖表 長電科技下游主要應用領域及優勢
圖表 長電科技全球戰略布局
圖表 長電科技發展歷史
圖表 長電科技Chiplet平臺及解決方案—XDFOITM
圖表 截至2022年中國大陸頭部封測公司主要封裝產品對比
圖表 長電科技在各封裝領域的技術優勢
圖表 長電科技封裝技術
圖表 長電科技Chiplet技術路徑
圖表 先進制程與先進封裝的技術迭代時間圖
圖表 后摩爾時代器件結構演變
圖表 Fin FET與GAA NS器件結構剖面示意圖
圖表 底層納米片串聯電阻示意圖
圖表 PTS和BDI防止底部寄生管漏電問題示意圖
圖表 GAA NS器件與Forksheet器件的對比示意圖
圖表 GAA NS器件與Forksheet器件的N/P間距示意圖
圖表 CFET結構示意圖
圖表 CFET中上下層器件金屬互連導致很大的通孔深寬比示意圖
圖表 單塊集成CFET的典型集成方法
圖表 順序集成CFET的典型方法
圖表 HBM示例圖
圖表 主流3D DRAM技術探索方向
圖表 PCH單元解決電阻漂移問題
圖表 基于垂直架構的三維相變存儲器架構
圖表 鐵電存儲器三維架構的兩種實現方式
圖表 垂直3D RRAM架構
圖表 基于RRAM的神經網絡計算技術示意圖
圖表 X-Cube示例圖
圖表 集成電路封裝產業發展趨勢
圖表 中國集成電路封裝產業前景預測
芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個環節,其中晶片制作過程尤為的復雜。截至2023年7月14日,芯片行業共2693110件專利。
半導體設計的創新領導力在多個行業產生創新,從而支持更廣泛的經濟增長和市場領導地位。芯片設計中,設計師要根據指令集進行微架構和核心設計,而微架構決定著芯片的性能、功耗和面積;而指令集的先進與否,也關系到CPU的性能發揮,因此是CPU性能體現的一個重要標志。芯片制造業演進的基本規律在于領域細分化、技術累積化和產出精品化;并且在現階段,光刻、刻蝕、薄膜和摻雜氧化技術發展遇到了瓶頸,而封測技術正在試圖成為未來發展的方向。
封裝技術是半導體制造中不可或缺的一環,它可以提高半導體器件的性能和可靠性,同時也可以降低成本。隨著科技的不斷發展,封裝技術的重要性也愈發突出。半導體檢測根據使用的環節以及檢測項目的不同,可分為前道檢測和后道檢測。其中,前道量測包括量測類和缺陷檢測類,主要用于晶圓加工環節,目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產品的加工參數是否達到設計的要求或者存在影響良率的缺陷,屬于物理性檢測;后道測試根據功能的不同包括分選機、測試機、探針臺,主要是用在晶圓加工之后、封裝測試環節內,目的是檢查芯片的性能是否符合要求,屬于電性能檢測。
中投產業研究院發布的《2023-2030年中國芯片技術發展潛力分析報告》共八章。首先,報告對芯片技術進行概述并總結國內外芯片技術發展現狀;接著,報告對芯片設計、芯片制造、芯片封裝、芯片測試四個領域技術發展狀況進行分析;最后,報告分析了我國重點芯片企業技術戰略部署,并科學的預測了芯片技術發展前景。
本研究報告數據主要來自于國家知識產權局、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富。您或貴單位若想對芯片技術發展潛力有個系統深入的了解、或者想投資芯片相關產業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。