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第一章 氮化鎵相關概述
1.1 氮化鎵基本介紹
1.1.1 氮化鎵基本概念
1.1.2 氮化鎵形成階段
1.1.3 氮化鎵性能優勢
1.1.4 氮化鎵半導體作用
1.2 氮化鎵材料的特性
1.2.1 結構特性
1.2.2 化學特性
1.2.3 光學特性
1.2.4 電學性質
1.2.5 磁學特性
1.3 氮化鎵的制備方法
1.3.1 金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術
1.3.2 分子束外延（MBE）技術
1.3.3 氫化物氣相外延（HVPE）技術
1.3.4 懸空外延技術（Pendeo-epitaxy）
第二章 2022-2024年半導體材料行業發展綜述
2.1 半導體材料相關概述
2.1.1 第一代半導體材料
2.1.2 第二代半導體材料
2.1.3 第三代半導體材料
2.1.4 半導體材料的應用
2.2 2022-2024年全球半導體材料發展狀況
2.2.1 市場銷售規模
2.2.2 區域分布狀況
2.2.3 細分市場結構
2.2.4 市場并購動態
2.2.5 市場發展預測
2.3 2022-2024年中國半導體材料行業運行狀況
2.3.1 應用環節分析
2.3.2 產業支持政策
2.3.3 市場銷售規模
2.3.4 細分市場結構
2.3.5 企業發展動態
2.3.6 國產替代進程
2.4 中國半導體材料行業存在的問題及發展對策
2.4.1 行業發展滯后
2.4.2 產品同質化問題
2.4.3 供應鏈不完善
2.4.4 行業發展建議
2.4.5 行業發展思路
2.5 半導體材料產業未來發展前景展望
2.5.1 行業發展趨勢
2.5.2 行業需求分析
2.5.3 行業前景分析
第三章 2022-2024年氮化鎵產業發展深度分析
3.1 氮化鎵產業發展綜述
3.1.1 產業鏈條分析
3.1.2 產業發展歷程
3.1.3 產業支持政策
3.1.4 國產化將加速
3.2 2022-2024年氮化鎵市場發展狀況
3.2.1 氮化鎵市場發展現狀
3.2.2 氮化鎵市場需求狀況
3.2.3 氮化鎵市場產值規模
3.2.4 氮化鎵市場產能分析
3.2.5 氮化鎵應用領域分析
3.2.6 氮化鎵器件發展瓶頸
3.3 氮化鎵技術專利申請狀況
3.3.1 全球氮化鎵技術來源國分布
3.3.2 全球氮化鎵技術專利申請量
3.3.3 全球氮化鎵專利申請人分布
3.3.4 中國氮化鎵專利申請區域分布
第四章 2022-2024年氮化鎵企業競爭情況分析
4.1 2022-2024年全球氮化鎵企業競爭分析
4.1.1 全球氮化鎵市場區域競爭
4.1.2 全球氮化鎵企業競爭格局
4.1.3 全球氮化鎵企業市場份額
4.1.4 全球氮化鎵企業布局情況
4.1.5 全球氮化鎵企業上市動態
4.1.6 全球氮化鎵企業中國布局
4.2 2022-2024年中國氮化鎵企業競爭分析
4.2.1 國內氮化鎵競爭態勢
4.2.2 國內氮化鎵主要企業
4.2.3 國內氮化鎵企業產線
4.2.4 國內氮化鎵廠商布局
4.3 快充市場氮化鎵主要企業及其產品分布
4.3.1 氮化鎵芯片上游
4.3.2 氮化鎵制造工廠
4.3.3 氮化鎵品牌廠商
4.4 GaN器件主要企業及其產品分布
4.4.1 GaN電力電子器件
4.4.2 GaN光電子器件
第五章 2022-2024年氮化鎵器件主要類型發展分析
5.1 發光二極管（LED）
5.1.1 發光二極管（LED）發展概述
5.1.2 發光二極管（LED）市場發展現狀
5.1.3 發光二極管（LED）進出口數據分析
5.1.4 氮化鎵基藍綠光LED發展歷程
5.1.5 氮化鎵在LED領域的技術突破
5.2 場效應晶體管（FET）
5.2.1 場效應晶體管（FET）發展概述
5.2.2 GaN FET與硅FET的比較分析
5.2.3 GaN FET產品的應用情況
5.2.4 GaN FET產品研發進展
5.3 激光二極管（LD）
5.3.1 激光二極管（LD）發展概述
5.3.2 激光二極管（LD）背景技術
5.3.3 激光器進出口市場數據分析
5.3.4 GaN基激光器發展概況分析
5.3.5 GaN基激光器應用狀況分析
5.3.6 GaN基激光器技術發展情況
5.3.7 GaN基激光器發展前景展望
5.4 二極管（Diodes）
5.4.1 二極管（Diodes）發展概述
5.4.2 二極管進出口市場數據分析
5.4.3 氮化鎵二極管技術發展狀況
5.5 射頻器件（RF）
5.5.1 射頻器件（RF）發展概述
5.5.2 GaN射頻器件市場發展狀況
5.5.3 GaN射頻元件企業發展分析
5.5.4 GaN射頻器件主要需求領域
5.6 太陽能電池（Solar Cells）
5.6.1 2022-2024年中國太陽能電池進出口數據分析
5.6.2 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展概述
5.6.3 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率影響因素
5.6.4 InGaN/GaN量子阱太陽能電池效率提升工藝
5.6.5 InGaN/GaN量子阱結構太陽能電池發展展望
第六章 2022-2024年氮化鎵應用領域分析
6.1 氮化鎵在電力電子產業的應用
6.1.1 電力電子器件產業發展意義
6.1.2 GaN應用在電力電子領域的優勢
6.1.3 GaN電力電子器件分布情況
6.1.4 GaN基電力電子器件關鍵技術
6.1.5 GaN組件商品化帶來的機遇
6.1.6 電力電子器件市場未來發展方向
6.2 氮化鎵在新能源產業的應用
6.2.1 新能源行業相關政策支持
6.2.2 新能源行業整體發展形勢
6.2.3 新能源發電建設和運行情況
6.2.4 GaN大功率器件需求潛力
6.3 氮化鎵在智能電網產業的應用
6.3.1 發展智能電網的重要意義
6.3.2 智能電力設備發展分析
6.3.3 智能電力設備關鍵技術
6.3.4 GaN大功率器件需求潛力
6.4 氮化鎵在通訊設備產業的應用
6.4.1 通訊設備市場需求分析
6.4.2 通訊設備制造業運行分析
6.4.3 GaN大功率器件需求潛力
6.5 氮化鎵其他領域應用分析
6.5.1 GaN在4C產業的應用
6.5.2 GaN在無線基站領域應用
6.5.3 GaN在紫外探測領域的應用
6.5.4 GaN在紅外探測領域的應用
6.5.5 GaN在壓力傳感器中的應用
6.5.6 GaN在生物化學探測領域的應用
第七章 2022-2024年國際氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
7.1 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
7.1.1 企業發展概況
7.1.2 企業產品動態
7.1.3 2022年企業經營狀況分析
7.1.4 2023年企業經營狀況分析
7.1.5 2024年企業經營狀況分析
7.2 科沃（Qorvo, Inc.）
7.2.1 企業發展概況
7.2.2 企業產品開發
7.2.3 2022年企業經營狀況分析
7.2.4 2023年企業經營狀況分析
7.2.5 2024年企業經營狀況分析
7.3 雷神科技公司（Raytheon Technologies Corp.）
7.3.1 企業發展概況
7.3.2 企業發展動態
7.3.3 2022年企業經營狀況分析
7.3.4 2023年企業經營狀況分析
7.3.5 2024年企業經營狀況分析
7.4 恩智浦（NXP Semiconductors N.V.）
7.4.1 企業發展概況
7.4.2 企業產品發布
7.4.3 項目建設動態
7.4.4 2022年企業經營狀況分析
7.4.5 2023年企業經營狀況分析
7.4.6 2024年企業經營狀況分析
7.5 英飛凌科技公司（Infineon Technologies AG）
7.5.1 企業發展概況
7.5.2 企業產品動態
7.5.3 2022年企業經營狀況分析
7.5.4 2023年企業經營狀況分析
7.5.5 2024年企業經營狀況分析
第八章 2021-2024年中國氮化鎵產業重點企業經營狀況分析
8.1 蘇州納維科技有限公司
8.1.1 企業發展概況
8.1.2 企業主營業務
8.1.3 企業發展成就
8.2 蘇州能訊高能半導體有限公司
8.2.1 企業發展概況
8.2.2 企業發展成就
8.2.3 企業項目進展
8.3 東莞市中鎵半導體科技有限公司
8.3.1 企業發展概況
8.3.2 企業人才隊伍
8.3.3 企業獲得榮譽
8.3.4 公司專利技術
8.3.5 企業發展規劃
8.4 三安光電股份有限公司
8.4.1 企業發展概況
8.4.2 經營效益分析
8.4.3 業務經營分析
8.4.4 財務狀況分析
8.4.5 核心競爭力分析
8.4.6 公司發展戰略
8.4.7 未來前景展望
8.5 杭州士蘭微電子股份有限公司
8.5.1 企業發展概況
8.5.2 經營效益分析
8.5.3 業務經營分析
8.5.4 財務狀況分析
8.5.5 核心競爭力分析
8.5.6 公司發展戰略
8.5.7 未來前景展望
8.6 四川海特高新技術股份有限公司
8.6.1 企業發展概況
8.6.2 經營效益分析
8.6.3 業務經營分析
8.6.4 財務狀況分析
8.6.5 核心競爭力分析
8.6.6 公司發展戰略
8.6.7 未來前景展望
第九章 2024-2028年氮化鎵產業投資分析及前景預測
9.1 氮化鎵產業投資潛力分析
9.1.1 產業投資機會
9.1.2 企業并購動態
9.1.3 投資擴產狀況
9.1.4 區域投資分布
9.2 氮化鎵產業發展前景展望
9.2.1 產業發展前景
9.2.2 市場應用潛力
9.2.3 市場發展機遇
9.3 中投顧問對2024-2028年中國氮化鎵市場預測分析
9.3.1 2024-2028年中國氮化鎵市場影響因素分析
9.3.2 2024-2028年中國第三代半導體產業電力電子和射頻電子總產值預測
9.3.3 2024-2028年中國SiC、GaN電力電子產值規模預測
9.3.4 2024-2028年中國GaN微波射頻產值規模預測
氮化鎵（GaN）是直接寬帶隙半導體材料，屬于第三代半導體。與前兩半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，滿足現代電子技術對半導體材料提出的高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用，它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱，這一發展歷程融合了多種因素，是其一致發揮作用的結果。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消，最近，其憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和LDMOS的最具成本競爭優勢的材料。中國GaN功率半導體市場較小，但增長迅速。2015年中國GaN功率半導體市場規模0.11億元，2021年市場規模達到1.88億元。
GaN材料禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿電場高、飽和電子遷移速率高，在應用上可以做到高擊穿電壓、耐高溫、低導通損耗、高輸出功率以及低成本，在電力電子、微波通信、光伏逆變、照明等應用領域具有另外2代材料無法比擬的優勢，具有重大的戰略意義，相信在不久的將來GaN作為第3代半導體材料中優秀代表會得到更廣泛的應用。
中投產業研究院發布的《2024-2028年中國氮化鎵（GaN）產業深度調研及投資前景預測報告》共九章。首先介紹了氮化鎵的概念、特性、制備方法等，接著分析了半導體材料和氮化鎵產業的整體發展狀況。然后報告從企業競爭、市場主要類型、應用領域、國內外企業等方面對氮化鎵行業進行了系統解析，最后報告對氮化鎵產業的投資潛力及發展前景進行了科學的預測。
本研究報告數據主要來自于國家統計局、國家海關總署、商務部、財政部、工信部、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道，數據權威、詳實、豐富，同時通過專業的分析預測模型，對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對氮化鎵產業有個系統深入的了解、或者想投資該行業，本報告將是您不可或缺的重要參考工具。
