第一章　第三代半導體相關概述
1.1　第三代半導體基本介紹
1.1.1　基礎概念界定
1.1.2　主要材料簡介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產業發展意義
1.2　第三代半導體產業發展歷程分析
1.2.1　材料發展歷程
1.2.2　產業演進全景
1.2.3　產業轉移路徑
1.3　第三代半導體產業鏈構成及特點
1.3.1　產業鏈結構簡介
1.3.2　產業鏈圖譜分析
1.3.3　產業鏈生態體系
1.3.4　產業鏈體系分工
第二章　2022-2024年全球第三代半導體產業發展分析
2.1　2022-2024年全球第三代半導體產業運行狀況
2.1.1　標準制定情況
2.1.2　國際產業格局
2.1.3　市場發展規模
2.1.4　SiC創新進展
2.1.5　GaN創新進展
2.1.6　企業競爭格局
2.1.7　企業發展布局
2.1.8　企業合作動態
2.2　美國
2.2.1　經費投入規模
2.2.2　產業技術優勢
2.2.3　技術創新中心
2.2.4　項目研發情況
2.2.5　項目建設動態
2.2.6　戰略層面部署
2.3　日本
2.3.1　產業發展計劃
2.3.2　封裝技術聯盟
2.3.3　產業重視原因
2.3.4　技術領先狀況
2.3.5　企業發展布局
2.3.6　國際合作動態
2.4　歐盟
2.4.1　項目研發情況
2.4.2　產業發展基礎
2.4.3　前沿企業格局
2.4.4　未來發展熱點
第三章　2022-2024年中國第三代半導體產業發展環境PEST分析
3.1　政策環境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業標準現行情況
3.1.4　中美貿易摩擦影響
3.2　經濟環境（Economic）
3.2.1　宏觀經濟概況
3.2.2　工業經濟運行
3.2.3　投資結構優化
3.2.4　宏觀經濟展望
3.3　社會環境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發經費投入
3.3.4　技術人才儲備
3.4　技術環境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術成熟
3.4.4　產業技術聯盟
第四章　2022-2024年中國第三代半導體產業發展分析
4.1　中國第三代半導體產業發展特點
4.1.1　數字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關鍵環節
4.1.4　各國政府高度重視發展
4.1.5　產業鏈向國內轉移明顯
4.2　2022-2024年中國第三代半導體產業發展運行綜述
4.2.1　產業發展現狀
4.2.2　產能項目規模
4.2.3　產業標準規范
4.2.4　國產替代狀況
4.2.5　行業發展空間
4.3　2022-2024年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發展規模
4.3.2　細分市場規模
4.3.3　市場應用分布
4.3.4　企業競爭格局
4.3.5　產品發展動力
4.4　2022-2024年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析
4.4.1　上游金屬硅產能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現狀
4.4.4　上游材料產業鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5　中國第三代半導體產業發展問題分析
4.5.1　產業發展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術發展挑戰
4.5.4　材料發展挑戰
4.6　中國第三代半導體產業發展建議及對策
4.6.1　產業發展建議
4.6.2　建設發展聯盟
4.6.3　加強企業培育
4.6.4　集聚產業人才
4.6.5　推動應用示范
4.6.6　材料發展思路
第五章　2022-2024年第三代半導體氮化鎵（GAN）材料及器件發展分析
5.1　GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況
5.1.1　GaN產業鏈條
5.1.2　GaN結構性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術專利情況
5.1.6　技術發展趨勢
5.2　GaN材料市場發展概況分析
5.2.1　市場供給情況
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術水平
5.2.4　應用市場結構
5.2.5　應用市場預測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3　GaN器件及產品研發情況
5.3.1　器件產品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4　GaN器件應用領域及發展情況
5.4.1　電子電力器件應用
5.4.2　高頻功率器件應用
5.4.3　應用實現條件與對策
5.5　GaN器件發展面臨的挑戰
5.5.1　器件技術難題
5.5.2　電源技術瓶頸
5.5.3　風險控制建議
第六章　2022-2024年第三代半導體碳化硅（SIC）材料及器件發展分析
6.1　SiC材料基本性質與制備技術發展狀況
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產品類型
6.1.4　單晶技術專利
6.1.5　技術發展路線
6.2　SiC材料市場發展概況分析
6.2.1　產業發展階段
6.2.2　產業鏈條分析
6.2.3　材料價格走勢
6.2.4　材料市場規模
6.2.5　材料技術水平
6.2.6　市場應用情況
6.2.7　企業競爭格局
6.3　SiC器件及產品研發情況
6.3.1　電力電子器件
6.3.2　功率模塊產品
6.3.3　器件產品布局
6.3.4　產品發展趨勢
6.4　SiC器件應用領域及發展情況
6.4.1　應用整體技術路線
6.4.2　電網應用技術路線
6.4.3　電力牽引應用技術路線
6.4.4　電動汽車應用技術路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應用
第七章　2022-2024年第三代半導體其他材料發展狀況分析
7.1�、笞宓�化物半導體材料發展分析
7.1.1　基礎概念介紹
7.1.2　材料結構性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產品
7.1.5　應用發展狀況
7.1.6　發展建議對策
7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結構性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應用器件
7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發展分析
7.3.1　材料結構性能
7.3.2　材料應用優勢
7.3.3　材料國外進展
7.3.4　國內研究成果
7.3.5　器件應用發展
7.3.6　未來發展前景
7.4　金剛石半導體材料發展分析
7.4.1　材料結構性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發展特點
7.4.4　主要器件產品
7.4.5　應用發展狀況
7.4.6　國產替代機遇
7.4.7　材料發展難點
第八章　2022-2024年第三代半導體下游應用領域發展分析
8.1　第三代半導體下游產業應用領域發展概況
8.1.1　下游應用產業分布
8.1.2　下游產業優勢特點
8.1.3　下游產業需求旺盛
8.2　2022-2024年電子電力領域發展狀況
8.2.1　全球市場發展規模
8.2.2　國內市場發展規模
8.2.3　國內器件應用分布
8.2.4　國內應用市場規模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產品價格走勢
8.3　2022-2024年微波射頻領域發展狀況
8.3.1　射頻器件市場規模
8.3.2　射頻器件市場結構
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應用規模
8.3.5　射頻器件發展趨勢
8.4　2022-2024年半導體照明領域發展狀況
8.4.1　發展政策支持
8.4.2　行業發展規模
8.4.3　產業鏈分析
8.4.4　應用市場分布
8.4.5　技術發展方向
8.4.6　行業發展展望
8.5　2022-2024年半導體激光器發展狀況
8.5.1　市場規�，F狀
8.5.2　企業發展格局
8.5.3　應用研發現狀
8.5.4　主要技術分析
8.5.5　國產化趨勢
8.6　2022-2024年5G新基建領域發展狀況
8.6.1　5G建設進程
8.6.2　應用市場規模
8.6.3　基站需求規模
8.6.4　應用發展方向
8.6.5　產業發展展望
8.7　2022-2024年新能源汽車領域發展狀況
8.7.1　行業市場規模
8.7.2　主要應用場景
8.7.3　企業布局情況
8.7.4　市場應用空間
8.7.5　市場需求預測
第九章　2022-2024年第三代半導體材料產業區域發展分析
9.1　2022-2024年第三代半導體產業區域發展概況
9.1.1　產業區域分布
9.1.2　區域建設回顧
9.2　京津翼地區第三代半導體產業發展分析
9.2.1　北京產業發展狀況
9.2.2　順義產業扶持政策
9.2.3　保定產業發展情況
9.2.4　應用聯合創新基地
9.2.5　區域未來發展趨勢
9.3　中西部地區第三代半導體產業發展分析
9.3.1　成都產業發展狀況
9.3.2　重慶產業發展狀況
9.3.3　西安產業發展狀況
9.4　珠三角地區第三代半導體產業發展分析
9.4.1　廣東產業發展政策
9.4.2　廣州市產業支持
9.4.3　深圳產業發展狀況
9.4.4　東莞產業發展狀況
9.4.5　區域未來發展趨勢
9.5　華東地區第三代半導體產業發展分析
9.5.1　江蘇產業發展概況
9.5.2　蘇州工業園區發展
9.5.3　山東產業發展規劃
9.5.4　廈門產業發展狀況
9.5.5　區域未來發展趨勢
9.6　第三代半導體產業區域發展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領域短板
9.6.3　開展關鍵技術研發
9.6.4　鼓勵地方加大投入
第十章　2021-2024年第三代半導體產業重點企業經營狀況分析
10.1　三安光電股份有限公司
10.1.1　企業發展概況
10.1.2　業務布局動態
10.1.3　經營效益分析
10.1.4　業務經營分析
10.1.5　財務狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發展戰略
10.1.8　未來前景展望
10.2　北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業發展概況
10.2.2　相關業務布局
10.2.3　經營效益分析
10.2.4　業務經營分析
10.2.5　財務狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發展戰略
10.2.8　未來前景展望
10.3　廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業發展概況
10.3.2　經營效益分析
10.3.3　業務經營分析
10.3.4　財務狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發展戰略
10.3.7　未來前景展望
10.4　湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1　企業發展概況
10.4.2　經營效益分析
10.4.3　業務經營分析
10.4.4　財務狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發展戰略
10.4.7　未來前景展望
10.5　華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業發展概況
10.5.2　經營效益分析
10.5.3　業務經營分析
10.5.4　財務狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發展戰略
10.5.7　未來前景展望
10.6　聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業發展概況
10.6.2　經營效益分析
10.6.3　業務經營分析
10.6.4　財務狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發展戰略
10.6.7　未來前景展望
10.7　株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業發展概況
10.7.2　經營效益分析
10.7.3　業務經營分析
10.7.4　財務狀況分析
10.7.5　核心競爭力分析
10.7.6　公司發展戰略
10.7.7　未來前景展望
第十一章　中投顧問對第三代半導體產業投資價值綜合評估
11.1　行業投資背景
11.1.1　行業投資規模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業投資前景
11.2　行業投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內投資項目
11.2.3　國際企業并購
11.2.4　國內企業并購
11.2.5　企業融資動態
11.3　行業投資壁壘
11.3.1　技術壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿易壁壘
11.4　行業投資風險
11.4.1　企業經營風險
11.4.2　技術迭代風險
11.4.3　行業競爭風險
11.4.4　產業政策變化風險
11.5　行業投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業實現關鍵技術突破
11.5.3　關注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內企業向IDM模式轉型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6　投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　項目建設必要性
11.6.3　項目建設可行性
11.6.4　項目資金概算
11.6.5　項目經濟效益
第十二章　2024-2028年中投顧問對第三代半導體產業前景與趨勢預測
12.1　第三代半導體未來發展趨勢
12.1.1　產業成本趨勢
12.1.2　未來發展趨勢
12.1.3　應用領域趨勢
12.2　第三代半導體未來發展前景
12.2.1　重要發展窗口期
12.2.2　產業應用前景
12.2.3　產業發展機遇
12.2.4　產業市場機遇
12.2.5　產業發展展望
12.3　中投顧問對2024-2028年中國第三代半導體行業預測分析
12.3.1　2024-2028年中國第三代半導體行業影響因素分析
12.3.2　2024-2028年中國第三代半導體產業電子電力和射頻電子總產值預測
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策
附錄二：關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施